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博電科技,預(yù)見能源未來,
積極行動,邁向“3060”雙碳目標

PONOVO foresee the future of energy,
Take positive actions to move towards the "3060" double carbon goal.

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第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟?于坤山秘書長等領(lǐng)導訪問博電

時間:2018-12-28

2019年新年伊始,博電能源互聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)新園迎來重量級嘉賓——第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山等領(lǐng)導。博電董事長陳衛(wèi)率研發(fā)骨干熱情迎接。

在會議中心,陳總向于秘書長等領(lǐng)導介紹了博電在電力檢測、監(jiān)測、仿真技術(shù)領(lǐng)域的優(yōu)勢,重點講述了博電在IGBT測試技術(shù)領(lǐng)域的成果突破。陳總談到,博電打破國外壟斷和制約,成為自主研發(fā)IGBT檢測設(shè)備的廠商,產(chǎn)品可滿足市場上全部型號IGBT的測試需求,測試內(nèi)容涵蓋動態(tài)測試、靜態(tài)測試、功率循環(huán)測試、單芯片測試及篩選等方面。

于秘書長等領(lǐng)導對博電在大功率IGBT測試技術(shù)領(lǐng)取得的成果突破表示欣慰和肯定。于秘書長向陳總介紹了第三代半導體技術(shù)的發(fā)展情況及市場前景。聯(lián)盟領(lǐng)導表示,第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟致力于推動我國第三代半導體材料及器件研發(fā)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展,希望有更多像博電這樣敢于擔當、樂于奉獻,有原始技術(shù)積累、有前瞻性技術(shù)突破的企業(yè)為IGBT技術(shù)發(fā)展貢獻智慧和力量。


▲雙方在會議室開展深度交流


最后,在陳總陪同下,于秘書長等領(lǐng)導參觀了博電展廳及 “小微企業(yè)智能電力檢測技術(shù)公共服務(wù)平臺”——博普檢測中心,重點參觀了博電IGBT靜態(tài)測試平臺、動態(tài)測試平臺、功率循環(huán)測試平臺,以及博電在電動汽車及充電設(shè)施檢測技術(shù)領(lǐng)域的新產(chǎn)品。



▲參觀博電IGBT靜態(tài)測試平臺


▲參觀博電IGBT動態(tài)測試平臺


▲陳總介紹手持式電動汽車直流充電檢測儀


▲參觀基于NI PXI & 博電功率模塊的電動汽車測試系統(tǒng)


▲參觀博電大功率發(fā)生裝置


▲參觀“小微企業(yè)智能電力檢測技術(shù)公共服務(wù)平臺”——博普檢測中心


第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)

2015年9月9日,在國家科技部、工信部、北京市科委的支持下,由第三代半導體相關(guān)的科研機構(gòu)、大專院校、企業(yè)自愿發(fā)起籌建的“第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟”在北京國際會議中心宣告成立。

第三代半導體材料是近年來迅速發(fā)展起來的以GaN、SiC為代表的新型半導體材料,具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高及抗輻射能力強的等優(yōu)點,是固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”,在半導體照明、新一代移動通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景,可望成為支撐信息、能源、交通、國防等重點產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重點新材料,正在成為全球半導體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略高地。

第三代半導體材料及器件的突破將引發(fā)科技變革并重塑國際半導體產(chǎn)業(yè)格局。美、日、歐、韓等發(fā)達國家高度重視并已部署國家相關(guān)計劃搶占戰(zhàn)略制高點。我國政府也十分重視第三代半導體材料與及器件的研發(fā)與及產(chǎn)業(yè)化,在科技部等部委的持續(xù)部署支持下,我國材料研發(fā)的整體水平與國際上差距不大,半導體照明作為在第三代半導體的材料首個第一個產(chǎn)業(yè)化的應(yīng)用方向方面——半導體照明已經(jīng)在關(guān)鍵技術(shù)上實現(xiàn)突破,創(chuàng)新應(yīng)用處于國際領(lǐng)先水平;此外,在第三代半導體電子器件應(yīng)用方面,在移動通訊、光伏逆變、雷達等領(lǐng)域已有少量示范應(yīng)用。

第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的成立,對推動我國第三代半導體材料及器件研發(fā)和相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義。聯(lián)盟將發(fā)起的目的主要是圍繞產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)建創(chuàng)新鏈,促進產(chǎn)學研合作以及跨界應(yīng)用的開放協(xié)同創(chuàng)新,推動產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系的建設(shè),培育形成一批擁有自主知識產(chǎn)權(quán)、知名品牌和市場競爭力強的骨干企業(yè)群,形成全國一盤棋的發(fā)展合力,抓住換道超車的歷史性機遇,形成全國一盤棋的發(fā)展合力,實現(xiàn)創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展,搶占在國際第三代半導體上搶占產(chǎn)業(yè)發(fā)展制高點,重構(gòu)全球半導體產(chǎn)業(yè)格局。