博電科技應(yīng)邀參會(huì)

5月14日，初夏時(shí)節(jié)，“首屆碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈與應(yīng)用技術(shù)研討會(huì)暨產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)產(chǎn)品對(duì)接會(huì)”在北京隆重舉行。博電科技技術(shù)委員會(huì)杜科博士、功率研發(fā)部經(jīng)理任志軍等技術(shù)人員應(yīng)邀出席此次研討會(huì)。  

本屆研討會(huì)由中國(guó)電力電子產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、北京電力電子學(xué)會(huì)、上海SiC功率器件工程與技術(shù)研究中心、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合主辦。一百二十余位碳化硅（SiC）半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)產(chǎn)學(xué)研單位的專(zhuān)家和企業(yè)家齊聚一堂，推進(jìn)碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的進(jìn)步與產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。

▲會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)

▲大連理工學(xué)院王德君教授發(fā)表以《SiCMOS柵氧界面缺陷與器件性能穩(wěn)定性》為題的主題演講

與會(huì)專(zhuān)家蒞臨參觀(guān)

會(huì)議當(dāng)天下午，大連理工學(xué)院王德君教授蒞臨博電科技，實(shí)地參觀(guān)了博電科技面向功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的測(cè)試設(shè)備。

▲合影留念

功率研發(fā)部經(jīng)理任志軍向王教授詳細(xì)介紹了博電科技自主創(chuàng)新的功率半導(dǎo)體檢測(cè)平臺(tái)。王教授對(duì)博電自主創(chuàng)新、引領(lǐng)行業(yè)的優(yōu)秀產(chǎn)品給以極大的贊賞。

▲功率研發(fā)部經(jīng)理任志軍向王教授介紹IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試平臺(tái)

功率半導(dǎo)體測(cè)試解決方案

博電科技長(zhǎng)期跟蹤國(guó)內(nèi)外前沿技術(shù)，以自身成熟的智能電力電子檢測(cè)設(shè)備為基礎(chǔ)，根據(jù)自身在測(cè)試儀器領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，為用戶(hù)提供專(zhuān)業(yè)的功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)解決方案。

在功率半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域，博電科技推出以高速高頻、高壓、大電流功率源為基礎(chǔ)、并結(jié)合高速高精度的高壓、大電流模擬采集技術(shù)及高速數(shù)字處理控制系統(tǒng)的智能測(cè)試平臺(tái)。該平臺(tái)根據(jù)不同需求可完成各類(lèi)功率半導(dǎo)體器件、模塊、芯片的動(dòng)態(tài)參數(shù)、靜態(tài)參數(shù)，熱力參數(shù)及力學(xué)參數(shù)，功率壽命參數(shù)測(cè)試；是國(guó)內(nèi)相關(guān)研制生產(chǎn)單位的研發(fā)測(cè)試、工程驗(yàn)收、出廠(chǎng)測(cè)試等領(lǐng)域進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試的檢測(cè)平臺(tái)。