7月17日，由北京博電新力電氣股份有限公司自主研制的半導(dǎo)體靜態(tài)測(cè)試設(shè)備順利通過某知名院所預(yù)驗(yàn)收。驗(yàn)收組專家聽取了博電電氣的產(chǎn)品研制情況匯報(bào)，現(xiàn)場(chǎng)查看測(cè)試情況。專家組成員對(duì)博電測(cè)試產(chǎn)品的測(cè)試結(jié)果滿意，一致同意該設(shè)備通過預(yù)驗(yàn)收。

▲博電電氣自主研制的半導(dǎo)體靜態(tài)測(cè)試設(shè)備

▲雙方就現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試具體細(xì)節(jié)進(jìn)行討論

▲現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試

大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，離不開半導(dǎo)體和電子材料、關(guān)鍵零部件、制造設(shè)備、檢測(cè)設(shè)備等關(guān)鍵技術(shù)裝備的支撐。博電電氣前瞻部署，以二十來積累的大功率測(cè)試技術(shù)為基礎(chǔ)，研發(fā)大功率IGBT、SiC半導(dǎo)體的系列測(cè)試設(shè)備，能夠廣泛應(yīng)用于大功率半導(dǎo)體的研發(fā)、生產(chǎn)、應(yīng)用的各個(gè)環(huán)節(jié)，提供關(guān)鍵測(cè)試設(shè)備和測(cè)試技術(shù)，助推中國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

博電電氣自主研發(fā)的IGBT檢測(cè)設(shè)備測(cè)試對(duì)象包括IGBT單芯片與IGBT模塊測(cè)試，測(cè)試內(nèi)容涵蓋動(dòng)態(tài)測(cè)試、靜態(tài)測(cè)試、功率循環(huán)測(cè)試、單芯片測(cè)試及篩選等方面，測(cè)試最高電壓5KV、測(cè)試電流最大5000A，可滿足市場(chǎng)上全部型號(hào)IGBT的測(cè)試。